铝电解槽用氮化硅结合的碳化硅砖

铝电解槽侧墙内衬的损毁主要原因有：从钢壳与砖衬间吸入空气引起材料的氧化；高温下冰晶石、NaF 和铝液的侵蚀：熔体流动造成的冲刷；温度波动及热膨胀引起热应力。
铝电解槽的侧墙过去一直沿用无定形炭块、石墨炭块等，这类材料致命的缺点是抗氧化性能差，强度低。为了使侧墙不氧化，又具有较大的电阻，侧墙正朝着部分或全部采用SiC质材料方向发展。氮化硅结合的碳化硅砖应用好。氮化硅结合的碳化硅砖，其具有优异的高温力学性能、导热性好，在内侧易形成冷凝渣；电阻率大，减少侧壁的电流损失；材料不易被氧化；不与铝液、冰晶石等熔体起反应；机械强度高，还可大大减少衬砖厚度，增加电解槽的容积，稳定操作。例如原来用炭砖时侧墙厚度约200 ～ 400mm，采用氮化硅结合的碳化硅砖后侧墙厚度只要75mm。

铝电解槽用氮化硅结合的碳化硅砖理化指标如下：

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